|
14 kalem Mal/Malzeme alımı
| İlan/Teklif No: |
2665 |
Proje Kodu: |
FDK-2019-7473 |
| Proje Yürütücüsü: |
Prof.Dr. Ayhan ÇELİK |
Onay Tarihi/Sayısı: |
1881 |
| Yürütücünün Birimi: |
Mühendislik Fakültesi |
Yayınlanma Tarihi: |
18.10.2019 08:00:00 |
| Ekleyen: |
Mücteba Terzi (+90 442 231 6100-02 /112) |
Son Teklif Tarihi: |
24.10.2019 17:00:00 |
| Açıklama: 14 kalem Mal/Malzeme alımı |
| Sıra |
Tanımı/Adı |
Miktar |
Birim |
Alım Kalemi Şartnamesi |
Genel Şartname |
| 1 |
Molibden boat, 90 mm (3.5") uzunluk, 13 mm (0.5") genişlik |
2 |
Adet |
|
TEKNİK ŞARTNAME.docx |
| 2 |
Prime CZ-Si Wafer, N tipi CZ-Si Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (100), Fosfor veya arsenik Katkılı, Özdirenç: 0,01-0,1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 250-500 ± 25 µm |
10 |
Adet |
|
| 3 |
Prime CZ-Si Wafer, N tipi CZ-Si Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (111), Fosfor veya arsenik Katkılı, Özdirenç: 0,01-0,1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 250-500 ± 25 µm |
10 |
Adet |
|
| 4 |
Prime CZ-Si Wafer, P tipi CZ-Si Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 0,01-0,1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 250-500 ± 25 µm |
10 |
Adet |
|
| 5 |
Prime CZ-Si Wafer, P tipi CZ-Si Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (111), Bor Katkılı, Özdirenç: 0,01-0,1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 250-500 ± 25 µm |
10 |
Adet |
|
| 6 |
Prime CZ-Si Wafer, P tipi-Si Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 0,01-0,1 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 250-500 ± 25 µm |
5 |
Adet |
|
| 7 |
Prime Si+SiO2 Wafer, N tipi-Si+SiO2 Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (100), Fosfor veya arsenik katkılı, Özdirenç: 0.01 - 0.1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 300-525 ± 25 µm, Kaplama: 100 nm(nanometre) |
10 |
Adet |
|
| 8 |
Prime Si+SiO2 Wafer, N tipi-Si+SiO2 Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (111), Fosfor veya arsenik katkılı, Özdirenç: 0.01 - 0.1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 300-525 ± 25 µm, Kaplama: 100 nm (nanometre) |
10 |
Adet |
|
| 9 |
Prime Si+SiO2 Wafer, P tipi-Si+SiO2 Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 0.01 - 0.1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 300-525 ± 25 µm, Kaplama: 100 nm (nanometre) |
10 |
Adet |
|
| 10 |
Prime Si+SiO2 Wafer, P tipi-Si+SiO2 Wafer/Alttaş, Boyut: 2¨, Oryantasyon: (111), Bor Katkılı, Özdirenç: 0.01 - 0.1 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 300-525 ± 25 µm, Kaplama: 100 nm (nanometre) |
10 |
Adet |
|
| 11 |
Quartz Wafer, (AT-Cut), Kuvars Wafer/Alttaş, Boyut: 4¨, Oryantasyon: (AT-Cut), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 300-500 ± 25 um |
5 |
Adet |
|
| 12 |
Quartz Wafer, (X-Cut), Kuvars Wafer/Alttaş, Boyut: 4¨, Oryantasyon: (X-Cut), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 300-500 ± 25 µm |
5 |
Adet |
|
| 13 |
Sapphire Wafer, Safir Wafer/Alttaş Size: 2”, Oryantasyon: C-plane (0001) , 2-Yüzey parlatılmış, (Ra<=0.3 nm), Kalınlık: 300-500 ± 50 µm |
5 |
Adet |
|
| 14 |
Tungsten boat, 90 mm (3.5") uzunluk, 13 mm (0.5") genişlik |
4 |
Adet |
|
İhale Dokümanları İçin İdare İle İletişime Geçiniz.
|